Grafito de grado semiconductor
video

Grafito de grado semiconductor

El grafito de grado semiconductor es un material diseñado de pureza ultra-alta-específicamente procesado para aplicaciones avanzadas de fabricación de semiconductores.
Envíeconsulta

Descripción

Parámetros técnicos

Descripción general del producto

 

El grafito de grado semiconductor es un material diseñado de pureza ultra-alta-específicamente procesado para aplicaciones avanzadas de fabricación de semiconductores. Diseñado para satisfacer las estrictas demandas de los campos térmicos de alta-temperatura, ofrece una resistencia excepcional a la contaminación química, una estabilidad térmica superior y una precisión dimensional precisa.

 

Características clave

 

Contenido de cenizas estrictamente mantenido.<5 PPM to prevent chemical contamination, verified by independent third-party ICP-MS batch testing.

Fabricado mediante prensado isostático en frío (CIP) avanzado para lograr una densidad uniforme, propiedades isotrópicas y la eliminación de puntos débiles estructurales.

Presenta un bajo coeficiente de expansión térmica (CTE) para evitar grietas por tensión y deformaciones durante ciclos rápidos de temperatura.

Mantiene la integridad estructural y una alta resistencia mecánica a temperaturas de hasta 2000 grados (y superiores en condiciones inertes específicas) en atmósferas de vacío o gas inerte.

Mecanizado-interno-personalizado con tolerancias dimensionales estrictas de hasta ±0,005 mm para una integración perfecta del reactor semiconductor.

 

Proceso de preparación central

 

Pasos del proceso Nombre en inglés Función principal
Preparación de materia prima Preparación de Materia Prima Mezcle polvo de grafito de alta-pureza con aglutinante para garantizar una mezcla uniforme.
Moldeo por prensado isostático Alto Prensado isostático Forme la mezcla a alta presión para obtener espacios en blanco verdes isotrópicos.
purificación de temperatura Purificación a alta-temperatura Elimine las impurezas a 2800-3000 grados y aumente la pureza del carbono a más del 99,99 %.
Procesamiento de precisión Mecanizado de precisión Utilice centros de mecanizado CNC de 5-ejes para producir componentes con canales de flujo complejos y dimensiones de alta precisión.
Tratamiento ultra-limpio Procesamiento ultra-limpio Realice limpieza ultrasónica y envasado al vacío para satisfacer los requisitos de limpieza de grado-de semiconductores.

 

Principales tipos de productos

 

Tipo de producto Nombre en inglés Aplicaciones típicas
Base/bandeja de grafito Susceptor/bandeja de grafito Fabricación de obleas (CVD, PVD, procesos de grabado)
crisol de grafito Crisol de grafito Crecimiento de cristales de silicio monocristalino, silicio policristalino y carburo de silicio (SiC)
Calentador de grafito Calentador de grafito Equipos de proceso de alta-temperatura (CVD, hornos de recocido, sistemas RTP)
Placa ecualizadora de temperatura de grafito. Placa uniformadora de temperatura de grafito Fabricación de obleas, crecimiento de obleas epitaxiales LED
Pieza aislante de grafito. Piezas de aislamiento de grafito Sistemas de campo térmico de hornos de vacío y hornos monocristalinos.

 

Valor-Servicios de ingeniería añadidos

 

Mecanizado CNC personalizado:Capacidades CNC de múltiples-ejes para fabricar geometrías complejas basadas en diseños de clientes.

Opciones de tratamiento de superficies:Servicios opcionales de recubrimiento CVD SiC disponibles a pedido para mejorar aún más la resistencia química y a la oxidación en entornos reactivos.

Consulta de ingeniería:Soporte técnico de expertos en materiales para ayudar con la selección de grados y la optimización del campo térmico.

 

Flujo de trabajo de personalización y fabricación

 

Consulta y revisión de diseño:Nuestros ingenieros revisan sus dibujos CAD (STEP, IGES, DXF) para optimizar la maquinabilidad y el rendimiento del campo térmico.

Prensado isostático en frío (CIP):Formar bloques uniformes para eliminar tensiones internas y garantizar confiabilidad estructural isotrópica.

Purificación a alta temperatura-:Grafitización al vacío y purificación térmica para reducir las impurezas de metales traza por debajo de 5 PPM.

Mecanizado CNC de múltiples-ejes:Conformación de precisión para lograr tolerancias estrictas de hasta ±0,005 mm.

Recubrimiento CVD SiC opcional:Deposición química de vapor para una capa impermeable de carburo de silicio, que mejora la resistencia a la oxidación y al plasma.

Limpieza y embalaje de salas blancas:Limpieza ultrasónica seguida de doble-sellado anti-estático al vacío para libre tránsito de contaminación-.

 

Aplicaciones centrales de semiconductores

 

Crecimiento de cristal único de silicio CZ:Crisoles, calentadores y componentes de protección de alta pureza diseñados para resistir campos térmicos intensos y al mismo tiempo evitar la difusión de impurezas en bolas de silicio monocristalino.

MOCVD y epitaxia:Susceptores diseñados con una conductividad térmica excepcional para garantizar una distribución uniforme de la temperatura en obleas de gran-diámetro, optimizando la uniformidad de la capa epitaxial.

Implantación y grabado de iones:Componentes de alta-densidad que ofrecen una resistencia superior a la erosión agresiva del plasma, lo que da como resultado ciclos operativos extendidos y una generación reducida de partículas.

 

Control de calidad

 

Materias primas:Precursores premium inspeccionados para detectar una base de carbono estable.

Pureza:Purificación a alta-temperatura que garantiza que el contenido de cenizas se mantenga estrictamente por debajo de 5 PPM.

Propiedades físicas:Densidad, porosidad y resistencia probadas para una confiabilidad térmica extrema.

Precisión dimensional:Inspección de precisión por CMM que garantiza tolerancias estrictas (±0,005 mm a ±0,01 mm).

Condición de la superficie:Acabado y limpieza meticulosos para eliminar defectos y generación de partículas.

Cumplimiento normativo y ambiental:Cumple totalmente con los estándares RoHS y REACH, lo que garantiza una integración de la cadena de suministro de semiconductores segura y-ecológica.

Trazabilidad completa:Informes completos de pruebas de materiales (MTR), incluidos datos-ICP-MS de terceros proporcionados para cada envío para garantizar el cumplimiento de ISO 9001.

 

Preguntas frecuentes

 

P: ¿Proporcionan muestras de materiales para su evaluación?

R: Sí, se pueden proporcionar pequeñas muestras de material para pruebas de laboratorio iniciales, comprobaciones de compatibilidad y verificación de propiedades.

P: ¿Qué formatos de archivo aceptan para el mecanizado CNC personalizado?

R: Aceptamos dibujos de ingeniería STEP, IGES, DXF y PDF para evaluación técnica y cotizaciones precisas.

P: ¿Cómo manejan las aduanas de exportación y el envío internacional?

R: Trabajamos con socios logísticos experimentados para gestionar la documentación de exportación estándar, el despacho gratuito-de productos peligrosos y el transporte marítimo o aéreo global seguro.

P: ¿Pueden ajustar los niveles de purificación o proporcionar límites de trazas de metales específicos?

R: Sí, los niveles de pureza se pueden adaptar según la aplicación de destino, hasta umbrales estrictos de elementos-específicos para procesos críticos-de semiconductores frontales.

P: ¿Cuál es el plazo de entrega típico para los componentes semiconductores-mecanizados personalizados?

R: El suministro de material estándar demora aproximadamente de 1 a 2 semanas, mientras que las piezas mecanizadas CNC-personalizadas generalmente requieren de 3 a 5 semanas, dependiendo de la complejidad de la geometría y los requisitos de recubrimiento.

P: ¿Ofrecen garantías de purificación térmica para trazas de metales como Fe, Al y Ca?

R: Sí, nuestra purificación a alta-temperatura reduce los metales traza críticos (como Fe, Al y Ca) a niveles ultra-bajos (cenizas totales < 5 PPM). Cada envío incluye un MTR con datos de pruebas por lotes de MS-ICP-MS de terceros que verifican las concentraciones exactas de los elementos.

Etiqueta: Grafito de grado semiconductor, fabricantes, proveedores, fábrica de grafito de grado semiconductor de China, Grafito de grado semiconductor, portador de grafito de oblea, Grafito para la fabricación de obleas

Envíeconsulta

También podría gustarte